TDK貼片電容容量與誤差：實際電容量和標稱電容量允許的大偏差范圍。一般
分為3級：i級±5%，ii級±10%，iii級±20%。在有些情況下，還有0級，誤差為
±20%。
不同品種的貼片電容，高使用頻率不同。小型云母貼片電容在250mhz以內；
圓片型瓷介貼片電容為300mhz；圓管型瓷介貼片電容為200mhz；圓盤型瓷介可
達3000mhz；小型紙介貼片電容為80mhz；中型紙介貼片電容只有8mhz。
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C0G (EIA code) 或者叫 NP0 (產業習慣稱呼) 所用的材料一般收到溫度影響比較小
（Negative-Positive zero），溫度系數在0±30ppm/℃以內，電容值隨頻率和電壓變
化小于±0.05%。正因為C0G/NP0 所用的電介質lose比較小,所以呢，多會用在濾波器，
時鐘電路，還有晶振匹配電路中；高頻特性較好，高可用到G bit級的電路中。但是這
類電容容值比有限，一般<10nF.
其它常用的一類電介質材料：P350, N1000/M3K.
以下是我公司TDK高壓貼片電容部分型號現貨：
C2012X5R1E335M08**C
C2012X5R1E335M12**B
C2012X5R1E475K08**C
C2012X5R1E475K12**B
C2012X5R1E475M08**C
C2012X5R1E475M12**B
C2012X5R1E685K12**C
C2012X5R1E685M12**C
C2012X5R1E106K08**C
C2012X5R1E106K12**B
C2012X5R1E106M08**C
C2012X5R1E106M12**B
C2012X5R1H155K12**B
C2012X5R1H155M12**B
C2012X5R1H225K08**B
C2012X5R1H225K12**B
C2012X5R1H225M08**B
C2012X5R1H225M12**B
C2012X5R1H335K12**B
C2012X5R1H335M12**B
C2012X5R1H475K12**B
C2012X5R1H475M12**B
C2012X5R1V105K08**B
C2012X5R1V105M08**B
C2012X5R1V155K12**B
C2012X5R1V155M12**B
C2012X5R1V225K08**B
C2012X5R1V225K12**B
C2012X5R1V225M08**B
C2012X5R1V225M12**B
C2012X5R1V335K12**C
C2012X5R1V335M12**C
C2012X5R1V475K12**C
C2012X5R1V475M12**C
C2012X5R1V685K12**C
C2012X5R1V685M12**C
C2012X5R1V106K08**C
C2012X5R1V106K12**C
C2012X5R1V106M08**C
C2012X5R1V106M12**C
C2012X5R1V156M12**C
C2012X5R1V226M12**C
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