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典型設(shè)備包括: 阻斷特性測(cè)試臺(tái)、 晶閘管觸發(fā)特性測(cè)試臺(tái)、 全自動(dòng)電力半導(dǎo)體器件靜態(tài)、 動(dòng)態(tài)綜合參數(shù)測(cè)試臺(tái)、 反向恢復(fù)電荷測(cè)試臺(tái)、晶閘管開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、電流上升率、電壓上升率測(cè)試臺(tái),高溫阻斷試驗(yàn)臺(tái)、自動(dòng)熱穩(wěn)態(tài)壓力實(shí)具。
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晶閘管、整流管器件靜態(tài)測(cè)試臺(tái)主要參數(shù)及測(cè)試范圍 |
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測(cè)試項(xiàng)目 |
伏安特性測(cè)試 |
晶閘管門極特性測(cè)試 |
晶閘管維持特性測(cè)試 |
晶閘管筆住電流測(cè)試 |
通態(tài)峰値壓降測(cè)試 |
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主要參數(shù)及范圍 |
峰值電壓:500~15kV 漏電流: 0.1 ~1000mA |
門極電壓VGT:0.2~ 5V 門極電流lGT:1mA~1A |
維持電流HI: 1mA~500mA |
擎住電流IL: 2mA~ 1 000mA |
峰値電流ITM: 500A~ 10kA 峰值壓降VTM: 0.1 ~10V |
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晶閘管、整流管器件動(dòng)態(tài)測(cè)試臺(tái)主要參數(shù)及測(cè)試范圍 |
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測(cè)試項(xiàng)目 |
電壓上升率dv/dt測(cè)試 |
電流上升率di/dt測(cè)試 |
晶間管關(guān)斷時(shí)間測(cè)試Tq |
晶閘管恢復(fù)特性測(cè)試 |
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主要參數(shù)及范圍 |
斷態(tài)電壓VD: 100~5000V dv/dt: 100-2500V/us |
通態(tài)電流: 10~5000A di/dt: 10-2000A/us |
通態(tài)電流lT: 200~4000A(4ms） -di/dt:60A/uS 斷態(tài)電壓VD: 100-4500V dv/dt: 100-2000V/us 反向電壓VRR:200V -di/dt:60A/uS |
正向電流lT:200~4000A 脈寬: 1000~4000us 反向,陝復(fù)電流lrr: 500A 反向申壓VRR:200V -di/dt: 60A/Us 恢復(fù)電荷Qrr: 100~25000uC |
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